氮化硼制品-半導體擴散源氮化硼墊片-氮化硼P型片狀擴散源
化學組成BN%：99% 其他成分：no 密度：＞2.15g/cm3 里氏硬度：450HL

抗彎強度：95Mpa 熱膨脹系數(shù)（25℃-1200℃）：1~2（10-6/K)

熱導率（常溫）：35W/mk *高使用溫度：空氣900℃、真空1600℃、惰性氣氛1800℃

常溫電阻率：＞1014Ω.cm

產(chǎn)品優(yōu)勢

● 采用國際先進工藝高溫氮化硼原料，確保材料純度及耐高溫性能。

● 材料致密度高，抗氧化性能好，導熱性好，加工精度高，尤其適用于半導體、微電子等設備配件的用途。

● 具備高耐熱性、低熱膨脹系數(shù)、良好的抗熱震性能以及良好的耐腐蝕性。

典型應用

● 應用于半導體行業(yè)的擴散源、離子注入設備備件等。

● MOCVD絕緣板，半導體單晶及III－V族化合物合成用的坩堝、基座等。

● 應用于分子束外延，原位合成GaAs 、InP 、GaP單晶的LEC系列坩堝等。