K465i MOCVD加熱器


反應(yīng)腔是MOCVD*重要的部位，材料的特性與設(shè)備的好壞都由它決定。反應(yīng)腔主要是所有氣體混合及發(fā)生反應(yīng)的地方，腔體通常是由不銹鋼(帶有冷卻水回路)或是石英(太危險已成歷史)所打造而成，而腔體的內(nèi)壁通常具有由石英或是高溫陶瓷所構(gòu)成的內(nèi)襯。在腔體中會有一個乘載盤(Wafer Carrier / Suscepetor)用來乘載基板，這個乘載盤必須能夠有效率地吸收從加熱器所提供的能量而達(dá)到薄膜成長時所需要的溫度，而且還不能與反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)，所以多半是用石墨所制造而成。(因為成長GaN需要NH3做為反應(yīng)源，而NH3在高溫時有腐蝕性所以石墨會鍍上SiC保護。)加熱器的設(shè)置，有的設(shè)置在反應(yīng)腔體之內(nèi)，也有設(shè)置在腔體之外。在反應(yīng)腔體內(nèi)部通常有許多可以讓冷卻水流通的通道，可以讓冷卻水來避免腔體本身在薄膜成長時發(fā)生過熱的狀況。